トランジスタの電流計算する方法
は、デバイスの最大負荷電流(LC)を決定
株式会社電流スイッチ
。これは、完全にオフカットオフ状態をトランジスタを飽和状態で完全にオンになりますかどうかを判断し、します。
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トランジスタのHFEを決定します。 HFEは50 100の範囲であるベース(Ib)で、全体の電流コレクタ(Ic)の間の電流の比である
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の計算次のようにトランジスタのHFEと負荷電流を分割することにより、トランジスタを飽和させるのに必要な最低限のベース電流:
LC /HFE
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エミッタ電流を計算します。 - のVbe = Vbは:これは、その前方には、その逆バイアス抵抗(RE)と正の電源電圧(VCC)を介してコレクタ接合をエミッタ接合をバイアスし、次のように計算を行う負の電源電圧(ヴィー)を取ることによって行われますVeIe =(ヴィー - のVbe)/5
は、ベース電圧(Ibの)を計算
で
アンプ電流再。この電圧は、導通を開始するために、トランジスタをバイアスを転送するために必要とされます。ベース電圧を計算するには、ベースバイアス電圧(VB)、(シリコンデバイスのための一般的に0.7VのVbe)ベース - エミッタボルトの電圧降下とベース入力抵抗(RB)を必要とし、次のように式を配置します。
Ibの= Vbと - のVbe /RB
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コレクタ電流(Icは、電流がトランジスタに入る)を計算します。これは、現在の負荷抵抗(RL)を流れると、電源電圧(Vcc)に対応し、それらの関係のように与えることができますされます。
Icを= Vccと - のVce /RL
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回路のQポイント(適切な動作点)を決定するために、負荷ラインを構築。 0 /RLと、IC = VCC /RL -
ときのVce = 0に、IC = Vccの
た:これは、以下の計算を使用して、「カットオフ」と、トランジスタの「飽和点」を決定することによって計算することができます
ず、IC = 0、0 = Vccと - のVce /RL、VCC = Vceは
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IcのVsのグラフをプロット
のVce = 0、Icを= VCC /RLIc = 0、Vceは= VccThe中心点は回路が最大効率で動作するQポイントとなる
<:点を結ぶaLoadラインをVCEとドローBR>
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