写真トランジスタの特性とは何ですか？

PhotoTransistor特性：

PhotoTransistorsは、光エネルギーを電流に変換する半導体デバイスです。それらは通常のトランジスタに似ていますが、光に敏感なベース領域が組み込まれています。これがフォトトランジスタの重要な特性です。

1。光感度：

* スペクトル応答： PhotoTransistorsには特​​定のスペクトル応答があります。つまり、特定の波長範囲内の光に最も敏感です。この範囲は通常、可視または近赤外スペクトルにあります。

* 感度： ワットあたりのアンペア（a/w）で測定されます 、感度は、特定の量の光電力に対してフォトトランジスターが生成する電流の量を定義します。感度が高いということは、同じ光入力に対してより大きな電流出力を意味します。

2。電流電圧特性：

* コレクター電流（ic）： 光タンシスターの出力電流は、光強度の増加とともに増加します。

* Collector-Emitter電圧（VCE）： コレクターとエミッタ端子の電圧。通常、コレクター電流がベース電流（光強度によって制御される）に比例するアクティブ領域で動作します。

* 暗い電流： 熱効果や漏れのために、光がない場合でも流れる小さな電流。これは、低照度アプリケーションの重要な要素です。

3。応答時間：

* 立ち上がり時間： コレクターの電流が、光強度の突然の変化の後、最終価値の10％から90％に上昇するまでに時間がかかります。

* 秋の時間： コレクター電流が光強度の突然の変化の後、初期値の90％から10％に低下するまでに時間がかかります。

* 帯域幅： フォトトランジスタが光強度の変化に効果的に対応できる周波数範囲。

4。その他の特性：

* 動作温度： フォトトランジスターには特定の動作温度範囲があり、その特性は温度変動の影響を受ける可能性があります。

* パッケージ： PhotoTransistorsは、18〜18、92、表面マウントなど、さまざまなパッケージで利用できます。

* 前方電圧（VF）： 前方にバイアスされるときのベースエミッタージャンクション全体の電圧。

* 逆分解電圧（BV）： 損傷を引き起こすことなく、コレクターとエミッターの接合部全体に適用できる最大逆電圧。

アプリケーション：

PhotoTransistorsは、さまざまなアプリケーションで広く使用されています。

* 光学センサー： 光レベル、動き、または位置の検出。

* ライトスイッチ： 自動照明制御システム。

* 光学通信： 光信号を使用してデータを送信および受信します。

* 光エンコーダー： 回転デバイスの速度と位置の測定。

* 煙探知器： 煙粒子の存在を検出します。

これらの特性を理解することは、特定のアプリケーションに適切なフォトトランス設備を選択するために不可欠です。感度、スペクトル応答、応答時間、およびフォトトランジスターを選択する際の動作条件などの要因を考慮してください。