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低電圧アナログ回路設計技術

より多くのデバイスは、低消費電力を必要とする移動性のために設計されているように、低電圧での回路動作は、一般的に採用して練習です。しかし、低電圧で動作するアナログ回路の一つの欠点は、運転中に経験された回路性能劣化や電圧スイングです。低電圧アナログ回路設計技術は、


ログイン効率的で動作する低電圧回路への最善の選択肢とそのスーツの低電圧環境自己カスコードアプローチと考えられている2 MOSFETはに互いに上下に配置されている場所です回路のゲインを増加させます。デバイスが縮小として、出力インピーダンスは、最終的に非常に低い利得につながる小さくなるので、これが必要です。自己カスコードアプローチは、しかし、減少した出力信号振幅をもたらすという欠点があります。これは、出力電圧振幅を回避するために、トランジスタをバイアスすることによって相殺することができる。

ログインフローティングゲートMOSFETを使用
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フローティングゲートのMOSFET(FG MOSFETが)一般的にアナログで使用されています記憶素子としてのデザイン。低電圧アナログ回路設計の応用チューニングその閾値電圧をする能力によって強化されます。これらのデバイスは、超低電圧電源で動作する回路構成を設計するために使用されます。 FGのMOSFET端子に適切な条件を確立することにより、MOSFETの作業インピーダンスよりも小さい出力インピーダンスは、順番に、低電圧回路設計に使用することができ、開発することができる。で
レベルシフターアプローチ
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MOSFETは飽和のいずれかのモードまたはサブスレッショルド領域で動作しているところです。バイアス電流は、運用体制を決定します。バイアス電流が十分に低い場合、MOSFETは、サブスレッショルド領域で動作し、それが十分に高い場合には、MOSFETがシフトし、飽和モードで動作する。

ログイン低電圧アナログの使用細胞は
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アナログ回路は、アナログセルと呼ばれるサブ回路の数を含むように分解することができます。これらのアナログの細胞は、結果として得られる回路構造の特性を決定することができる特性を有しています。これらのアナログの細胞は、次に、低電圧アナログ回路設計を操作することができ、低電圧で動作するように設計することができます。アナログセルを使用構造は、高性能であり、自然の中でモジュール化されて。