バイポーラトランジスタの種類

トランジスタは、固体（可動部なしの空のスペースない）されていない電子の流れを制御する装置。彼らは、アンプ（ラジオで）または（コンピュータで）速効型電子スイッチのために使用することができます。携帯電話、ポータブルコンピュータが可能となる、それらの何百万もの集積回路と呼ばれるシリコンの単一のチップ上に置くことができるように小さくすることができます。トランジスタの最も古く、最も一般的なタイプは、バイポーラトランジスタです。この場合、「バイポーラ」は、単に固体素子を流れる電流のキャリアの存在2種類あることを意味
半導体

半導体は、シリコンの非常に純粋な3次元格子として生活を始める - 。非常に結晶その周囲のシリコン原子で所定の位置にロックされ、各ケイ素原子との様。これらの純粋なシリコンウェーハは、その後、非常に純粋な、慎重に選ばれたガスで満たされたオーブンで焼きます。ガスの一部は、シリコン原子の数に置き換えられます。置換原子はシリコン原子よりも1つ多くの電子を持っている場合があり漂っ自由電子があり、我々は半導体、負のこのタイプを呼び出します。ウエハを注入されたガス原子は、一つの電子少ないシリコン原子よりも持っていた場合には、ウエハは、いくつかの電子が不足しているし、我々はそれが正の半導体であると言います。半導体用語では負の半導体は、N型と呼ばれ、我々はそれが自由電子を持っていると言います。正の半導体は、P型と呼ばれ、我々はそれが穴を持っていると言います。電流は電子の移動または正孔の移動のいずれかのような半導体を通って移動することができるので、バイポーラトランジスタは2つのキャリア持っていると言う：電子と正孔を。 NとP型半導体を作成するプロセスは、「ドーピング」と呼ばれる。

ログインPNPトランジスタ

PNPトランジスタはP-二厚い層の間にN型シリコンの薄い層を有してドープされたシリコンを入力します。 N層がベースであり、他の二つの層は、三鉛成分のエミッタおよびコレクタです。スイッチとして使用される場合、ベースは、エミッタに対して低い場合には、PNPトランジスタが「オン」（エミッタからコレクタに電流が流れる）です。増幅器として機能するために、ベースはエミッタに低い相対滞在する必要があり、その後、ベース上の弱い信号は、エミッタからコレクタに強い信号を制御します。で
NPNトランジスタ

NPNトランジスタは、N型シリコン二厚い層の間にP型シリコンの薄い層を有します。 P層がベースであり、他の二つの層は、三鉛成分のエミッタおよびコレクタです。スイッチとして使用する場合には、NPNトランジスタが「オン」であるベースがエミッタに高い相対的である場合（電流がエミッタからコレクタに流れます）。増幅器として機能するために、ベースがエミッタに高い相対滞在する必要があり、その後、ベース上の弱い信号は、エミッタからコレクタに強い信号を制御します。
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ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）が中心（ベース）層が薄く、より高濃度にドープされていることを除いて、PNPトランジスタとNPNトランジスタと同様です。 HBTのみ（決してスイッチの）増幅のために使用され、彼らは非常に高い周波数でうまく機能している - 数百ギガヘルツまで。 HBTは、通常、アルミニウムガリウム砒素の代わりにPNPとNPNトランジスタなどのシリコンまたはゲルマニウムで作られています。で