MOSFETまたはBJTのスイッチング速度は高いですか？

MOSFETのより速いスイッチング速度の理由：

* 入力容量が低い： MOSFETには、絶縁体として機能するゲート酸化物層があり、BJTと比較して入力容量が低下します。この低い静電容量により、ゲートの充電と放電が速くなり、スイッチングが速くなります。

* より高いスイッチング周波数： MOSFETは、静電容量が低く、スイッチング速度が速いため、BJTよりも高い周波数で動作できます。

* 耐性が低い： MOSFETの耐性は低いため、電力散逸が減り、スイッチングが速くなります。

* マイノリティキャリアストレージなし： MOSFETには少数のキャリア貯蔵効果がなく、BJTSのスイッチングが遅くなる可能性があります。

* 飽和電圧の低い： MOSFETの飽和電圧はBJTSと比較して低いため、スイッチング遷移が速くなります。

ただし、BJTSがより速いスイッチング速度を持つ可能性のある状況がいくつかあります：

* 低電力アプリケーション： 低電力アプリケーションでは、BJTは静電容量が低く、電力散逸が低いため、スイッチング速度が速くなる可能性があります。

* 高電流アプリケーション： 高電流アプリケーションでは、BJTは電流能力が高いため、より速いスイッチング速度を持っている可能性があります。

一般に、MOSFETは高速スイッチングアプリケーションに好まれますが、BJTは、スイッチング速度が重要な要因ではない低電力および高電流アプリケーションにより適しています。

結論：

MOSFETとBJTの両方がスイッチングアプリケーションで使用されますが、MOSFETは一般に、入力容量が低く、スイッチング周波数が高く、抵抗が低く、少数派の保管の欠如により、より速いスイッチング速度を提供します。ただし、特定のシナリオでは、BJTは、特に低電力および高電流アプリケーションで、より速いスイッチング速度を持っている可能性があります。