電子レンジのFETがどのように動作するか

第一のトランジスタは、1925年に作成され、それ以来、いくつかの異なるタイプが発明されています。デジタルとアナログの両方の回路は、電界効果トランジスタ、またはFETを含みます。金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、またはMOSFET、FETの最も一般的なタイプです。 MOSFETにおける絶縁ゲート電極があります。 FETはまた、マイクロ波工学で使用されています。最も一般的なマイクロ波FETは、金属 - 半導体電界効果トランジスタ、またはMESFETです。 FETは、マイクロ波増幅及びスイッチングの両方を行うことができる三端子デバイスです。ゲート、ソース、ドレイン：命令は、1

FETの三つの端子をよく理解してください
。ゲートは、入力端子として使用され、ソースは常に接地され、ドレインは出力端子として使用されます。出力端子の電圧は、入力端子の電圧によって決定され、制御される - この設定は、次のように呼ばれ
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が参照するソース接続、をよく理解し、「共通ソース」。チャンネル内の電子。電子が排出している場合にドレイン端子があります。ドレインからソースに行くときの電流の流れの方向が正である。
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オーミック金属コンタクトを用いたFETのチャネルを介して、ソースとドレインを接続してください。 GaAsの、または半絶縁性基板の上に、NチャネルFETで使用されることを意図し、N型半導体のメサが存在する場合に発生することができます。それは代わりに、NチャネルFETのPチャネルFETを使用することが可能であるが、それはほとんど、それらのパフォーマンスの低下の検査は行われませんです。
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を使用することにより、ドレイン - ソースを介して、チャンネルにゲートを接続しますショットキー金属接点。ゲートを接続することにより、それが逆バイアスだときにチャネルにDC電流のゼロ量を実施し、ゲートの電界は、チャネルの電子を変位させることができます。ゲートの下にある電子が枯渇している場合、それはもはやドレインからソースへの電流の流れがないことが可能です。
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