トランジスタ3SK51仕様

3SK51トランジスタは、様々な電子スイッチング用途に使用されるデュアルゲート、Nチャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）です。例えば、3SK51としてMOSFETは、パーソナル電子機器、コンピュータ、オーディオレシーバ、テレビで見られます。多くの企業が3SK51トランジスタを中止しましたが、同様のMOSFETは、大手半導体メーカーの異なる分類の下で利用可能です。物理仕様
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3SK51トランジスタはTO-72パッケージに収納されています。トップからベースへの完全な高さは0.170〜0.210インチにすることができ、それが0.209からトランジスタのベース上の最も広い点での直径が0.230インチに測定します。基地のない筐体自体の幅は0.175〜0.198インチと0.500 0.750インチ高からベース措置です。 4本のリード線は、円形パターンで配置されています。彼らは、長さが0.016〜0.021インチを測定します。リードによって形成される円の直径0.100インチです。そこにあるため、パッケージの超小型サイズの寸法の範囲であり、仕様は住宅のために受け入れ。

ログイン耐電仕様
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最大ドレイン - ソース間電圧がこのMOSFETの20ボルトです。最大ゲート - ソース間電圧が7ボルトです。その最大消費電力は330ミリワットであり、その最大ドレイン電流は35ミリアンペアである。で
その他の仕様
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このMOSFETの最大接合部温度は347度華氏。そのドレイン - ソース間容量が20ピコファラデーです。
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同等または代替のMOSFET
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3SK51は3N159、3N201、3N202、3N203、3N203Aに置き換えることができ、 3N204、3N205、3N206、3N211、3N212、40600、40601、40602、40603と40604のMOSFET、並びにHEPF2004、IRLBA3803 /PとIRLBA3803P、用途に応じている。
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