バイアス電界効果トランジスタに方法

FETは電圧制御されている間のBJTは、制御された電流であるため、電界効果トランジスタ（FET）は、バイポーラ接合トランジスタ（BJT）とは異なります。これは、付勢時に考慮する必要があります。基本的には、電界効果トランジスタをバイアスの3つの一般的な方法があります。彼らは、バイアス、自己バイアスと電圧分圧器のバイアスを固定されています。電界効果トランジスタの小さな電流の流れは、トランジスタを実行するために適用されるバイアスに影響し、非常に高い入力インピーダンスをもたらします。命令はバイアスが
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FETのゲート端子にはカップリングコンデンサ（C1）と抵抗（RG）を接続します。
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接続し、ゲート·ソースを修正しました

Rgをの一方の端部に取り付けられ、負の端子の電圧（VGS）。ゲートに正のFETのソース端子を保管してください。信号は、抵抗の両端にコンデンサの両端に印加され、開発され
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以下の式を使用して、Rgの両端の直流電圧降下（Vgのを）計算します。

のVgゲートは、常にソースに対して負であるので= IgのRgを

、電流はRgを流れないとゲート端子電流は、このように0：

のIg = 0Vds = VDD - イドRdVs = 0VVc = VdsV = VgsVgs = -Vgg

：

対 - ソースvoltageVds - ドレイン·ソース·voltageVgs - ゲートソース間電圧

ログイン自己バイアス

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ソース及びゲートへの負端子にVGSの正端子に接続し
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二つの抵抗を接続します。ゲートとRGと、上の他の両端のいずれかをソースとルピー
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以下の式を使用してRS両端の電圧を決定します。

VS =同上ルピー

ここで

ID - ドレインcurrentVgs = Vgは - VS = 0、IDRS = -Idルピー

Rsの両端の電圧降下は、バイアス電圧（VGS）は、FETを実行するために必要な提供
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。分圧器のバイアスは
株式会社7

（参考文献を参照）。
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逆バイアスゲート電圧·デバイダ回路図に示すように、分圧回路を接続して電流は、それを通って流れないこと
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は、以下の式を用いて、ゲート電圧を決定します。

のVg =（VDD /Rg1の+ Rg2を）Rg2を

ここで、< BR>

のVg - ゲート電圧VDD - ドレインterminalRg1の電圧 - ゲートおよびdrainRg2全体の抵抗 - ゲートの両端の抵抗とバッテリ端子で