なぜFETが優れたバッファアンプなのでしょうか?
1.高入力インピーダンス:
- FET は非常に高い入力インピーダンスを持ち、通常はメガオームの範囲にあります。これは、信号源からの電流が非常に少なく、信号を歪める可能性のある負荷効果を防ぐことを意味します。
2.低出力インピーダンス:
- FET は、特にソースフォロアとして構成されている場合、比較的低い出力インピーダンスを持つことがあります。これにより、大幅な電圧降下を生じることなく負荷を効果的に駆動することができます。
3.高帯域幅:
- FET は高い帯域幅を示し、最小限の歪みで広範囲の周波数にわたって信号を増幅できます。
4.低ノイズ:
- FET は、正確な信号増幅に不可欠な低ノイズ性能で知られています。
5.良好な直線性:
- FET はバイポーラ接合トランジスタ (BJT) と比較してより線形な伝達特性を備えており、出力信号の歪みが少なくなります。
6.広い動作電圧範囲:
- FET は広い電圧範囲で動作できるため、さまざまなアプリケーションに適しています。
7.比較的低い消費電力:
- FET は一般に、特に飽和領域で動作する場合、BJT よりも消費電力が少なくなります。
バッファアンプの具体的な利点:
- 信号の完全性の維持: 高い入力インピーダンスにより、負荷による信号損失が最小限に抑えられます。
- 運転負荷: 出力インピーダンスが低いため、大幅な電圧降下を生じることなく負荷を効果的に駆動できます。
- 信号振幅の維持: FET の高ゲインと低歪みは、信号の劣化を最小限に抑えながら信号振幅を維持するのに役立ちます。
ソース フォロワーの構成:
・ソースフォロア構成は一般的なFETバッファアンプです。この構成にはユニティ ゲイン (電圧ゲイン 1) がありますが、上記の利点があります。
アプリケーション:
FET バッファアンプは以下の分野で広く使用されています。
- オーディオアンプ
- 計装アンプ
- 高速回線
- インピーダンス整合回路
考慮事項:
- FET は優れたバッファですが、BJT よりも高価になる可能性があります。
- 一部の FET は温度が不安定になる場合があります。
全体:
FET は望ましい特性の組み合わせを備えているため、特に高入力インピーダンス、低出力インピーダンス、高帯域幅が重要な場合に、バッファ アンプとして優れた選択肢となります。