FETアンプの電圧ゲインはいくらですか？
* トランスコンダクタンス（GM）： これは、出力電流が入力電圧の特定の変化に対してどれだけ変化するかの尺度です。 GMが高いほどゲインが高くなります。
* 負荷抵抗（RL）： FETの出力に関連する抵抗。より高いRLはより高いゲインにつながります。
* 内部抵抗（RDS）： これは、ゲインを制限できるFET自体の抵抗です。
FETアンプの電圧ゲインは、次の式を使用して近似できます。
av≈gm * rl
どこ：
* AV =電圧ゲイン
* GM =伝導
* RL =負荷抵抗
重要な考慮事項：
* 入力抵抗： FETには非常に高い入力インピーダンスがあります。つまり、ソース信号から電流がほとんど描かれていません。これにより、ソースをロードせずに信号を増幅するのに理想的です。
* 周波数応答： FETアンプのゲインは、周波数によって異なる場合があります。 回路の容量性効果により、ゲインが高周波数でロールオフする可能性があります。
* バイアス： FETのバイアスポイントは、そのゲインにも影響を与える可能性があります。 適切なバイアス化により、FETが最適なゲインのために線形領域で動作します。
例：
FETのトランスコンダクタンスは2 ms（ミリシエメン）であり、10kΩ（kiloohms）の負荷抵抗に接続されているとしましょう。おおよその電圧ゲインは次のとおりです。
AV≈2ms *10kΩ=20
これは、出力電圧が入力電圧の約20倍大きくなることを意味します。
注： これは単純化された近似です。 FETアンプの実際の電圧ゲインは、FETの内部抵抗、バイアス条件、特定の回路構成などの要因の影響を受けます。