何なユニポーラジャンクショントランジスタですか？
これがUJTの内訳です：
構造：
* emitter（e）： デバイスの片側に重くドープされた小面積接触。
* ベース1（b1）： デバイスの片側に軽くドープされた大型エリアの接触。
* ベース2（B2）： デバイスの反対側にある軽くドープされた大型エリアの接触。
動作原則：
UJTの操作は、固有のスタンドオフ比（η）に基づいています 、これは、デバイスのジオメトリとドーピングレベルによって決定される重要なパラメーターです。 ηは、エミッタとベース2の間の抵抗の比を表します（r b2 ）ベース1とベース2の間の総抵抗（r b1 + r b2 ）。
1。最初： エミッタは、両方の塩基に関して逆バイアスされます。このデバイスは、エミッタとベース2の間に高い抵抗がある「オフ」状態にあります。
2。エミッタ電圧（v e ）特定の値を超えて増加します： エミッタベース1ジャンクションは前方バイアスになり、電流がデバイスを流れるようになります。この電流は、ベース1領域に広がる電界を作成し、材料の導電率を向上させます。
3。電流が増加するにつれて： エミッタとベース2の間の抵抗は減少します。この抵抗の減少は、A 負の抵抗特性につながります 、電流が増加すると、デバイス全体の電圧が低下します。
4。ピークポイント： 特定の電圧（v p ）、電流は最大値に達します（i p ）。この点はピークポイントと呼ばれます。
5。谷点： ピークポイントの後、電圧がまだ増加していても、電流は減少し始めます。これは、エミッタ電流によって作成された電界がベース1領域を枯渇させ、導電率を低下させるほど強くなるためです。電流は最小値に達します（i v ）バレーポイント（v v ）。
6。飽和領域： バレーポイントの後、UJTは電圧とともに電流が増加し続ける飽和領域に入りますが、負の抵抗特性はもはや存在しません。
アプリケーション：
UJTの負の抵抗特性により、次のようなさまざまなアプリケーションに適しています。
* リラクゼーションオシレーター： Sawtooth波形を生成することができ、タイミングサーキットとパルスジェネレーターに使用されます。
* SCRトリガー回路： それらを使用して、SCR（シリコン制御整流器）をトリガーできます。
* 位相制御： それらを使用して、AC信号の位相を制御できます。
* 温度センサー： それらの抵抗は温度によって異なり、温度検知アプリケーションが可能になります。
* モーター速度制御： それらは、モーター速度を制御するために回路で使用できます。
利点：
* 単純な構造： UJTは、製造する比較的簡単なデバイスです。
* 低コスト： 他の半導体デバイスと比較して安価です。
* 幅広いアプリケーション： さまざまなアプリケーションで使用できます。
短所：
* 限定電力処理： 高出力アプリケーションには適していません。
* 温度感度： それらの特性は、温度変動の影響を受ける可能性があります。
* 限られた周波数応答： これらは、高周波アプリケーションには適していません。
要約、 Unipolar Junctionトランジスタは、ユニークな特性とアプリケーションを備えた特殊な半導体デバイスです。その負の抵抗特性により、タイミング回路、回路のトリガー、および波形の生成または制御が必要な他のアプリケーションに役立ちます。